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微电子工艺 哈尔滨工业大学
- 内容简介:
- 微电子工艺是一门介绍半导体集成电路制造技术的课程。我们每个人身边都会有几件电子产品，如电子钥匙、手机、平板电脑等，它们的核心部件都是集成电路芯片，通过本课程的学习能使大家了解这些芯片是如何做出来的，为什么随着它们性能的飞速提高，体积却能够越来越小，价格也能不断降低。
- 价格:
- 免费
课程介绍
| 绪论 | 1、 微电子工艺是讲什么的？ | 1、 微电子工艺是讲什么的？ |
| 绪论 | 2、 微电子工艺的发展历程如何？ | 2、微电子工艺的发展历程如何？ |
| 绪论 | 3、 微电子工艺有什么特点？ | 3、 微电子工艺有什么特点？ |
| 绪论 | 4、半导体单晶硅有什么特性？ | 4、单晶硅特性（上） |
| 绪论 | 4、半导体单晶硅有什么特性？ | 4、单晶硅特性（中） |
| 绪论 | 4、半导体单晶硅有什么特性？ | 4、单晶硅特性（下） |
| 第一单元，第1章 硅片的制备 | 1.1多晶硅制备；1.2单晶生长-CZ法 | 1.1多晶硅制备；1.2单晶生长-CZ法 |
| 第一单元，第1章 硅片的制备 | 1.2单晶生长-机理 | 1.2单晶生长-原理 |
| 第一单元，第1章 硅片的制备 | 1.2单晶生长-掺杂 | 1.2单晶生长-掺杂 |
| 第一单元，第1章 硅片的制备 | 1.2单晶生长-MCZ与FZ法 | 1.2单晶生长-MCZ与FZ法 |
| 第一单元，第1章 硅片的制备 | 1.3硅片制备 | 硅片的加工 |
| 第一单元，第1章 硅片的制备 | 1.3硅片制备 | 硅片介绍 |
| 第2章 外延 | 2.1 外延概述 | 2.1 外延概述 |
| 第2章 外延 | 2.2 气相外延 | 2.2气相外延-1硅工艺 |
| 第2章 外延 | 2.2 气相外延 | 2.2气相外延-2原理 |
| 第2章 外延 | 2.2 气相外延 | 2.2气相外延-3速率 |
| 第2章 外延 | 2.2 气相外延 | 2.2气相外延-4掺杂 |
| 第2章 外延 | 2.2 气相外延 | 2.2气相外延-5设备与技术 |
| 第2章 外延 | 2.3 分子束外延 | 2.3分子束外延 |
| 第2章 外延 | 2.4 其它外延方法 | 2.4其它外延方法 |
| 第2章 外延 | 2.5 外延层缺陷及检测 | 2.5外延层缺陷及检测 |
| 第2章 外延 | 2.5 外延层缺陷及检测 | 电阻率测量 |
| 第二单元，第3章 热氧化 | 3.1 二氧化硅薄膜概述 | 3.1概述-1性质与用途 |
| 第二单元，第3章 热氧化 | 3.1 二氧化硅薄膜概述 | 3.1概述-2杂质与掩蔽 |
| 第二单元，第3章 热氧化 | 3.2 硅的热氧化 | 3.2硅热氧化-1工艺 |
| 第二单元，第3章 热氧化 | 3.2 硅的热氧化 | 3.2 硅的热氧化-2机理 |
| 第二单元，第3章 热氧化 | 3.2 硅的热氧化 | 3.2 硅的热氧化-3DG模型 |
| 第二单元，第3章 热氧化 | 3.2 硅的热氧化 | 3.2 硅的热氧化-4速率 |
| 第二单元，第3章 热氧化 | 3.2 硅的热氧化 | 3.2 硅热氧化-5影响因素 |
| 第二单元，第3章 热氧化 | 3.3 初始氧化阶段及薄氧化层制备 | 3.3 初始氧化 |
| 第二单元，第3章 热氧化 | 3.4 热氧化过程中的杂质再分布 | 3.4 杂质再分布-1分凝 |
| 第二单元，第3章 热氧化 | 3.4 热氧化过程中的杂质再分布 | 3.4 杂质再分布-2硅表面浓度 |
| 第二单元，第3章 热氧化 | 3.5 氧化层的质量及检测 | 3.5 氧化层检测-1厚度 |
| 第二单元，第3章 热氧化 | 3.5 氧化层的质量及检测 | 3.5 氧化层检测-2成膜质量 |
| 第二单元，第3章 热氧化 | 3.5 氧化层的质量及检测 | 氧化层厚度估测实验 |
| 第二单元，第3章 热氧化 | 3.6 其它氧化方法 | 3.6 其它氧化方法 |
| 第4章 扩散 | 4.1 扩散机构 | 4.1 扩散机构 |
| 第4章 扩散 | 4.2 晶体中扩散的基本特点及宏观动力学方程 | 4.2 扩散方程-1菲克定律 |
| 第4章 扩散 | 4.2 晶体中扩散的基本特点及宏观动力学方程 | 4.2 扩散方程-2扩散系数 |
| 第4章 扩散 | 4.3 杂质的扩散掺杂 | 4.3 扩散掺杂-1恒定源 |
| 第4章 扩散 | 4.3 杂质的扩散掺杂 | 4.3 扩散掺杂-2限定源 |
| 第4章 扩散 | 4.4 热扩散工艺中影响杂质分布的其他因素 | 4.4 影响杂质分布因素-1点缺陷 |
| 第4章 扩散 | 4.4 热扩散工艺中影响杂质分布的其他因素 | 4.4 影响杂质分布因素-2氧化增强 |
| 第4章 扩散 | 4.4 热扩散工艺中影响杂质分布的其他因素 | 4.4 影响杂质分布因素-3发射区推进 |
| 第4章 扩散 | 4.5 扩散工艺条件与方法 | 4.5 扩散条件与方法-1方法选择 |
| 第4章 扩散 | 4.5 扩散工艺条件与方法 | 4.5 扩散条件与方法-2扩散工艺 |
| 第4章 扩散 | 4.6 扩散工艺质量与检测 | 4.6 质检与测量-1结深 |
| 第4章 扩散 | 4.6 扩散工艺质量与检测 | 4.6 质检与测量-2表面浓度 |
| 第4章 扩散 | 4.6 扩散工艺质量与检测 | pn结结深测量实验 |
| 第4章 扩散 | 4.7 扩散工艺的发展 | 4.7 扩散工艺的发展 |
| 第5章 离子注入 | 5.1 概述 | 5.1 离子注入概述 |
| 第5章 离子注入 | 5.2 离子注入原理 | 5.2 离子注入原理-1 |
| 第5章 离子注入 | 5.2 离子注入原理 | 5.2 离子注入原理-2 |
| 第5章 离子注入 | 5.2 离子注入原理 | 5.2 离子注入原理-3 |
| 第5章 离子注入 | 5.3 注入离子在靶中的分布 | 5.3 注入离子分布-1,2分布 |
| 第5章 离子注入 | 5.3 注入离子在靶中的分布 | 5.3 注入离子分布-3沟道效应 |
| 第5章 离子注入 | 5.3 注入离子在靶中的分布 | 5.3 注入离子分布-4其它影响 |
| 第5章 离子注入 | 5.4 注入损伤 | 5.4 注入损伤-1 |
| 第5章 离子注入 | 5.4 注入损伤 | 5.4 注入损伤-2 |
| 第5章 离子注入 | 5.5 退火 | 5.5 退火-1热退火 |
| 第5章 离子注入 | 5.5 退火 | 5.5 退火-2快速退火 |
| 第5章 离子注入 | 5.6 离子注入设备与工艺 | 5.6 设备与工艺 |
| 第5章 离子注入 | 5.7 离子注入的其它应用 | 5.7 应用 |
| 第5章 离子注入 | 5.8 离子注入与热扩散比较及掺杂新技术 | 5.8 掺杂新技术 |
| 第三单元，第6章 化学汽相淀积 | 6.1 CVD概述 | 6.1 CVD概述 |
| 第三单元，第6章 化学汽相淀积 | 6.2 CVD工艺原理 | 6.2 CVD原理-1过程 |
| 第三单元，第6章 化学汽相淀积 | 6.2 CVD工艺原理 | 6.2 CVD原理-2速率 |
| 第三单元，第6章 化学汽相淀积 | 6.2 CVD工艺原理 | 6.2 CVD原理-3质量 |
| 第三单元，第6章 化学汽相淀积 | 6.3 CVD工艺方法 | 6.3 CVD工艺方法-1AP-2LP |
| 第三单元，第6章 化学汽相淀积 | 6.3 CVD工艺方法 | 6.3 CVD工艺方法-3等离子体(上） |
| 第三单元，第6章 化学汽相淀积 | 6.3 CVD工艺方法 | 6.3 CVD工艺方法-3等离子体(下） |
| 第三单元，第6章 化学汽相淀积 | 6.3 CVD工艺方法 | 6.3 CVD工艺方法-4PE-5HDP |
| 第三单元，第6章 化学汽相淀积 | 6.4 二氧化硅薄膜的淀积 | 6.4 二氧化硅薄膜-1性质 |
| 第三单元，第6章 化学汽相淀积 | 6.4 二氧化硅薄膜的淀积 | 6.4 二氧化硅薄膜-2制备 |
| 第三单元，第6章 化学汽相淀积 | 6.5 氮化硅薄膜淀积 | 6.5 氮化硅薄膜 |
| 第三单元，第6章 化学汽相淀积 | 6.6 多晶硅薄膜的淀积 | 6.6 多晶硅薄膜 |
| 第三单元，第6章 化学汽相淀积 | 6.7 CVD金属及金属化合物薄膜 | 6.7 CVD金属及金属化合物薄膜 |
| 第7章 物理汽相淀积 | 7.1 PVD概述 | 10-21-7.1 PVD-1概述 |
| 第7章 物理汽相淀积 | 7.2 真空系统及真空的获得 | 7.2 PVD-1真空简介 |
| 第7章 物理汽相淀积 | 7.2 真空系统及真空的获得 | 7.2 PVD-2真空的获得 |
| 第7章 物理汽相淀积 | 7.3 真空蒸镀 | 7.3 蒸镀-1原理 |
| 第7章 物理汽相淀积 | 7.3 真空蒸镀 | 7.3 蒸镀-2设备、工艺 |
| 第7章 物理汽相淀积 | 7.3 真空蒸镀 | 10-21-7.3 蒸镀-3质量 |
| 第7章 物理汽相淀积 | 7.4 溅射 | 7.4 溅射-1原理 |
| 第7章 物理汽相淀积 | 7.4 溅射 | 7.4溅射-2方法 |
| 第7章 物理汽相淀积 | 7.4 溅射 | 10-21-7.4溅射-3质量 |
| 第7章 物理汽相淀积 | 7.5 PVD金属及化合物薄膜 | 7.5 PVD金属及化合物薄膜 |
| 第四单元，第8章 光刻工艺 | 8.1 概述 | 8.1 光刻概述 |
| 第四单元，第8章 光刻工艺 | 8.2 基本光刻工艺流程 | 光刻 02--光刻技术 xiugaizhonggao |
| 第四单元，第8章 光刻工艺 | 8.3--1 光刻掩膜板制造技术 | 8.3.1--光刻掩膜板制造技术 |
| 第四单元，第8章 光刻工艺 | 8.3--2 光刻胶 | 光刻 8.3.2--光刻胶 |
| 第四单元，第8章 光刻工艺 | 8.3--3 紫外曝光技术 | 光刻 8.3.3--紫外曝光技术 |
| 第四单元，第8章 光刻工艺 | 8.3--4 光刻增强技术 | 光刻 8.3.4 --光刻增强技术 |
| 第四单元，第8章 光刻工艺 | 8.3--5 其它曝光技术 | 8.3--5 其它曝光技术 |
| 第四单元，第8章 光刻工艺 | 8.3--5 其它曝光技术 | 8.3--5 其它曝光技术(2) |
| 第四单元，第8章 光刻工艺 | 8.3--6 光刻新技术展望 | 8.3--6 光刻新技术展望 |
| 第九章 刻蚀技术 | 9.1 刻蚀技术--概述 | 9.1 刻蚀技术--概述 |
| 第九章 刻蚀技术 | 9.2 刻蚀技术 -- 湿法刻蚀技术 | 9.2 湿法刻蚀技术 |
| 第九章 刻蚀技术 | 9.3 刻蚀技术-- 干法刻蚀技术 | 9.3 刻蚀技术-- 干法刻蚀技术 |
| 第九章 刻蚀技术 | 9.3--1 刻蚀技术-- SiO2薄膜的干法刻蚀技术 | 9.3--1 刻蚀技术-- SiO2薄膜的干法刻蚀技术 |
| 第九章 刻蚀技术 | 9.3--2 刻蚀技术-- 多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 | 9.3--2 刻蚀技术-- 多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术 |
| 第五单元 工艺集成与封装测试 | 10.1--1 工艺集成--金属化与多层互连 | 10.1 工艺集成--金属化与多层互连 |
| 第五单元 工艺集成与封装测试 | 10.1--2 工艺集成--金属化与多层互连--尖楔现象 | 10.1--2 工艺集成--金属化之尖楔现象 |
| 第五单元 工艺集成与封装测试 | 10.2 工艺集成--集成电路中的隔离技术 | 10.2 工艺集成--集成电路中的隔离技术 |
| 第五单元 工艺集成与封装测试 | 10.3 CMOS集成电路的工艺集成 | 10.3 CMOS集成电路的工艺集成 |
| 第五单元 工艺集成与封装测试 | 10.4 双极型集成电路的工艺集成 | 10.4 双极型集成电路的工艺集成 |
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