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半导体物理 电子科技大学
- 内容简介:
- 信息技术领域的关键技术是微电子技术，微电子技术飞速发展，“半导体物理”则是微电子技术系列专业集成电路与集成系统专业和微电子科学与工程等相关专业的核心基础课程。本课程聚焦半导体物理的基础理论和主要性质，希望通过学习，学生能够为学习半导体器件和集成电路相关课程打下必要的专业基础。
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课程介绍
| 第一章 半导体的晶体结构与价键模型 | 1.1 固体的分类 | 第一章 半导体的晶体结构与价键模型 1.1 固体的分类 |
| 第一章 半导体的晶体结构与价键模型 | 1.1 固体的分类 | 1.1 固体的分类 |
| 第一章 半导体的晶体结构与价键模型 | 1.2 晶面、晶向和密勒指数 | 1.2 晶面、晶向和密勒指数 |
| 第一章 半导体的晶体结构与价键模型 | 1.3 原子价键 | 1.3 原子价键 |
| 第一章 半导体的晶体结构与价键模型 | 1.4 三维晶体结构的定性描述 | 1.4 三维晶体结构的定性描述 |
| 第二章 半导体的电子结构 | 2.1 量子力学初步概要 | 2.1 量子力学初步概要 |
| 第二章 半导体的电子结构 | 2.2晶体的能带模型 | 2.2晶体的能带模型 |
| 第二章 半导体的电子结构 | 2.2晶体的能带模型 | 2.3 金属、半导体和绝缘体 |
| 第二章 半导体的电子结构 | 2.3 金属、半导体和绝缘体 | 2.3 金属、半导体和绝缘体 |
| 第二章 半导体的电子结构 | 2.4 半导体的带隙结构 | 2.4 半导体的带隙结构 |
| 第二章 半导体的电子结构 | 2.5 有效质量 | 2.5 有效质量 |
| 第二章 半导体的电子结构 | 2.6 能带工程简介 | 2.6 能带工程简介 |
| 第三章 半导体中的载流子 | 3.1热平衡态与非平衡态 | 3.1热平衡态与非平衡态 |
| 第三章 半导体中的载流子 | 3.2杂质与杂质能级 | 3.2杂质与杂质能级 |
| 第三章 半导体中的载流子 | 3.3.1本征半导体与本征激发 | 3.3.1本征半导体与本征激发 |
| 第三章 半导体中的载流子 | 3.3.2.1 施主与n型半导体 | 3.3.2.1 施主与n型半导体 |
| 第三章 半导体中的载流子 | 3.3.2.2 受主与p型半导体 | 3.3.2.2 受主与p型半导体 |
| 第三章 半导体中的载流子 | 3.3.2.3 浅能级杂质以及浅能级杂质电离能的计算 | 3.3.2.3 浅能级杂质以及浅能级杂质电离能的计算 |
| 第三章 半导体中的载流子 | 3.4载流子的复合与俘获 | 3.4载流子的复合与俘获 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.1.1 载流子浓度 | 4.1载流子浓度 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.1.2 通过k空间求解状态密度g (E ) | 4.1.2 通过k空间求解状态密度g (E ) |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.1.3 费米分布函数和费米能级 | 4.1.3 费米分布函数和费米能级 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.1.4 玻耳兹曼分布函数 | 4.1.4 玻耳兹曼分布函数 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.1.5 导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度 | 4.1.5 导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.1.6 影响n0 和p0 的因素 | 4.1.6 影响n0 和p0 的因素 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.1.7 n0和p0的乘积 | 4.1.7 n0和p0的乘积 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.2 本征半导体的载流子浓度 | 4.2 本征半导体的载流子浓度 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.2 本征半导体的载流子浓度 | 4.2 本征半导体的载流子浓度 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.3.1非本征半导体的载流子浓度 | 4.3.1非本征半导体的载流子浓度 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.3.1非本征半导体的载流子浓度 | 4.3.1非本征半导体的载流子浓度 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.3.2 n型半导体的载流子浓度 | 4.3.2 n型半导体的载流子浓度 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.3.2 n型半导体的载流子浓度 | 4.3.2 n型半导体的载流子浓度 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.3.3 p型半导体的载流子浓度 | 4.3.3 p型半导体的载流子浓度_1 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.3.3 p型半导体的载流子浓度 | 4.3.3 p型半导体的载流子浓度 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.3.4 简并半导体 | 4.3.4 简并半导体 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.3.4 简并半导体 | 4.3.4 简并半导体 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.1-4.3小结 | 4.1-4.3小结 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.1-4.3小结 | 4.1-4.3小结 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.4.1非平衡载流子的注入与复合 | 4.4.1非平衡载流子的注入与复合 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.4.1非平衡载流子的注入与复合 | 4.4.1非平衡载流子的注入与复合 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.4.2 非平衡载流子的寿命 | 4.4.2 非平衡载流子的寿命 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.4.2 非平衡载流子的寿命 | 4.4.2 非平衡载流子的寿命 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.4.3直接复合理论 | 4.4.3直接复合理论 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.4.3直接复合理论 | 4.4.3直接复合理论 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.4.4间接复合理论 | 4.4.4间接复合理论 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.4.4间接复合理论 | 4.4.4间接复合理论 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.5 陷阱 | 4.5 陷阱 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.5 陷阱 | 4.5 陷阱 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.6 准费米能级 | 4.6 准费米能级 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.6 准费米能级 | 4.6 准费米能级 |
| 第五章 三维半导体中载流子的电输运 | 5.2扩散运动与扩散电流 | 5.2扩散运动与扩散电流 |
| 第五章 三维半导体中载流子的电输运 | 5.2扩散运动与扩散电流 | 5.2扩散运动与扩散电流 |
| 第五章 三维半导体中载流子的电输运 | 5.3电流密度方程与爱因斯坦关系 | 5.3电流密度方程与爱因斯坦关系 |
| 第五章 三维半导体中载流子的电输运 | 5.3电流密度方程与爱因斯坦关系 | 5.3电流密度方程与爱因斯坦关系 |
| 第五章 三维半导体中载流子的电输运 | 5.4连续性方程 | 5.4连续性方程 |
| 第五章 三维半导体中载流子的电输运 | 5.4连续性方程 | 5.4连续性方程 |
| 第五章 三维半导体中载流子的电输运 | 5.5 习题解析 | 5.5 习题解析 |
| 第五章 三维半导体中载流子的电输运 | 5.5 习题解析 | 5.5 习题解析 |
| 第五章 三维半导体中载流子的电输运 | 5.1.1漂移运动与漂移电流 | 5.1.1漂移运动与漂移电流 |
| 第五章 三维半导体中载流子的电输运 | 5.1.1漂移运动与漂移电流 | 5.1.1漂移运动与漂移电流 |
| 第五章 三维半导体中载流子的电输运 | 5.1.2 载流子的散射 | 5.1.2 载流子的散射 |
| 第五章 三维半导体中载流子的电输运 | 5.1.2 载流子的散射 | 5.1.2 载流子的散射 |
| 第五章 三维半导体中载流子的电输运 | 5.1.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 | 5.1.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 |
| 第五章 三维半导体中载流子的电输运 | 5.1.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 | 5.1.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 |
| 第五章 三维半导体中载流子的电输运 | 5.1.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 | 5.1.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 |
| 第五章 三维半导体中载流子的电输运 | 5.1.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 | 5.1.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 |
| 第五章 三维半导体中载流子的电输运 | 5.1.5 强电场效应、热载流子 | 5.1.5 强电场效应、热载流子 |
| 第五章 三维半导体中载流子的电输运 | 5.1.5 强电场效应、热载流子 | 5.1.5 强电场效应、热载流子 |
| 第六章 金属和半导体的接触 | 6.1.1 金属和半导体的功函数 | 金属和半导体的功函数 |
| 第六章 金属和半导体的接触 | 6.1.2 接触电势差 | 6.1.2 接触电势差 |
| 第六章 金属和半导体的接触 | 6.1.3 表面态对接触势垒的影响 | 6.1.3 表面态对接触势垒的影响 |
| 第六章 金属和半导体的接触 | 6.2 金-半接触整流理论 | 6.2 金-半接触整流理论 |
| 第六章 金属和半导体的接触 | 6.2.1 扩散理论 | 6.2.1 扩散理论 |
| 第六章 金属和半导体的接触 | 6.2.2 热电子发射理论 | 6.2.2 热电子发射理论 |
| 第六章 金属和半导体的接触 | 6.2.3 | 6.2.3 |
| 第六章 金属和半导体的接触 | 6.3 少数载流子的注入和欧姆接触 | 6.3 少数载流子的注入和欧姆接触 |
| 第六章 金属和半导体的接触 | 6.4 例题解析 | 6.4 例题解析 |
| 第七章 半导体表面效应和MIS结构 | 7.1 理想MIS结构的能带图以及电荷分布 | 7.1 理想MIS结构的能带图以及电荷分布 |
| 第七章 半导体表面效应和MIS结构 | 7.2 空间电荷区 | 8.2 空间电荷区 |
| 第七章 半导体表面效应和MIS结构 | 7.3 理想MIS结构的C-V特性 | 7.3 理想MIS结构的C-V特性 |
| 第七章 半导体表面效应和MIS结构 | 7.4 非理想MIS结构的C-V特性 | 7.4 非理想MIS结构的C-V特性 |
| 第七章 半导体表面效应和MIS结构 | 7.5 例题解析 | 7.5 例题解析 |
| 第一章 半导体的晶体结构与价键模型 | 1.1 固体的分类 | 第一章 半导体的晶体结构与价键模型 1.1 固体的分类 |
| 第二章 半导体的电子结构 | 2.2晶体的能带模型 | 2.3 金属、半导体和绝缘体 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.2 本征半导体的载流子浓度 | 4.2 本征半导体的载流子浓度 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.3.1非本征半导体的载流子浓度 | 4.3.1非本征半导体的载流子浓度 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.3.2 n型半导体的载流子浓度 | 4.3.2 n型半导体的载流子浓度 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.3.3 p型半导体的载流子浓度 | 4.3.3 p型半导体的载流子浓度_1 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.3.4 简并半导体 | 4.3.4 简并半导体 |
| 第四章 半导体中载流子的定量统计描述 | 4.1-4.3小结 | 4.1-4.3小结 |
| 第五章 三维半导体中载流子的电输运 | 5.2扩散运动与扩散电流 | 5.2扩散运动与扩散电流 |
| 第五章 三维半导体中载流子的电输运 | 5.3电流密度方程与爱因斯坦关系 | 5.3电流密度方程与爱因斯坦关系 |
| 第五章 三维半导体中载流子的电输运 | 5.4连续性方程 | 5.4连续性方程 |
| 第五章 三维半导体中载流子的电输运 | 5.5 习题解析 | 5.5 习题解析 |
| 第五章 三维半导体中载流子的电输运 | 5.1.1漂移运动与漂移电流 | 5.1.1漂移运动与漂移电流 |
| 第五章 三维半导体中载流子的电输运 | 5.1.2 载流子的散射 | 5.1.2 载流子的散射 |
| 第五章 三维半导体中载流子的电输运 | 5.1.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 | 5.1.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 |
| 第五章 三维半导体中载流子的电输运 | 5.1.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 | 5.1.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 |
| 第五章 三维半导体中载流子的电输运 | 5.1.5 强电场效应、热载流子 | 5.1.5 强电场效应、热载流子 |
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